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      多弧鍍膜設備首頁 > 設備類 > 多弧鍍膜設備

       

      多弧鍍膜設備

      設備簡介:

      本裝置是在真空狀態下引燃蒸發源(陰極),與陽極之間形成自持弧光放電,即從陰極弧光輝點放出陰極物質的離子,由于電流局部的集中,產生的焦耳熱使陰極材料局部的爆發性的等離子化,在工件偏壓的作用下與反應氣體化合,而沉積在工件表面上形成被鍍的膜層的設備。

      1.真空室尺寸     :φ1000×1200;φ1200×1300;φ1400×1300;φ1600×1300;   材料:SUS304。
      2.真空室結構     :立式前開門結構、后置抽氣系統。
      3.真空系統       :機械泵+羅茨泵+擴散泵+維持泵(或配選分子泵、深冷泵、深冷系統)。
      4.循環冷卻水裝置 :雙層水套式或水槽式冷卻系統。
      5.工藝電源       :直流電源、中頻電源、電弧電源、燈絲電源、活化電源、脈沖偏壓電源。
      6.多弧靶         :多弧靶5個或18個,1個或2個柱弧靶。
      7.孿生靶         :中頻孿生柱靶或平面靶(1~4對)。
      8.加熱系統       :常溫至350度可調可控(PID溫控),不銹鋼加熱管加熱。
      9.充氣系統       :質量流量控制儀(1~4路)。
      10.極限真空      :6×10-4Pa(空載、凈室)。
      11.抽氣時間      :空載大氣抽至5×10-3Pa小于13分鐘。
      12.工件旋轉方式  :上旋轉或下旋轉+公自轉無極可控調控,0-20轉/分。
      13.控制系統      :可編程控制器,觸摸屏。
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